Elektronski stupanj silikonskih nitridnih filmova proizvedeni su hemijskim taložnim pare ili u plazmi poboljšane kemijsko-pare taloženja:
3 sih4 (g) + 4 NH3 (g) → si3n4 (e) + 12 H2 (g)
3 sicl4 (g) + 4 NH3 (g) → si3n4 (e) + 12 HCL (g)
+ 4 NH3 (g) → si3n4 (e) + 6 HCL (g) + 6 H2 (g)
Ako se silicijum nitrid deponira na podlogu poluvodiča, dostupne su dvije metode:
1.
Upotrijebite taloženje pare niskog pritiska na relativno visokim temperaturama u vertikalnoj ili horizontalnoj peći cijevi.
2.
Plazma poboljšana 8loženje hemijskog pare na relativno niskim temperaturama u vakuumu.
Parametri jedinice silikonskih nitrida različiti su od onih elementarnih silikona. Stoga, ovisno o načinu taloženja, rezultirajući silikonski nitridni film imaće napetost ili stres. Konkretno, kada se koristi plazma pojačana kemijska taložna pare, napetost se može smanjiti podešavanjem parametara taloženja.
Silicijski dioksid prvo priprema Sol-Gel metoda, a zatim se sadrže silikagel koji sadrži ultrafine čestice ugljika tretira se karbotermalnim smanjenjem i nitridacijom za dobivanje silikonskih nitridnih nanowira. Ultrafine čestice ugljika u silika gelu proizvode se raspadanjem glukoze u 1200-1350 stepen. Reakcije uključene u proces sinteze mogu biti:
SiO2 + C (s) → SIO (G) + CO (G)
+ 2 n2 (g) + 2 n2 (g) → si3n4 (s) + 3 CO2 (g) ili
3 sio (g) + 2 n2 (g) + 3 c (s) → si3n4 (e) + 3 co (g)
