Njegova metoda sinteze uglavnom koristi elementarni silicijum i azot za hemijsku reakciju u uslovima od 1.300 stepeni Celzijusa do 1.400 stepeni Celzijusa, a zatim dobija silicijum nitrid. Također se može sintetizirati putem diimina ili se može koristiti ugljik. Reakcija termičke redukcije se sintetiše pod azotom između 1400 stepeni Celzijusa i 1450 stepeni Celzijusa. Reakcija karbotermalne redukcije je jednostavan način i isplativo sredstvo za proizvodnju praha silicijum nitrida u industriji.
Ako želite da nanesete silicijum nitrid na poluprovodnik, možete koristiti tehnologiju hemijskog taloženja pare niskog pritiska na relativno visokoj temperaturi pomoću vertikalne ili horizontalne cevne peći, ili možete koristiti tehnologiju hemijskog taloženja pare sa plazmom na relativno visokoj temperaturi . Izvedite pod niskim vakuumom. Budući da se parametri jedinične ćelije silicijum nitrida razlikuju od parametara elementarnog silicijuma, generisani film silicijum nitrida stvaraće napetost ili naprezanje u zavisnosti od metode taloženja. Naročito kada se koristi tehnologija hemijskog taloženja pomoću plazme, ona se može podesiti pomoću Parametri taloženja tako djeluju na smanjenje napetosti.
Zrnasti silicijum nitrid se teško obrađuje i ne može se zagrejati iznad tačke topljenja, jer ako se prekorači tačka topljenja, silicijum nitrid će se razložiti na silicijum i azot, pa na to morate obratiti pažnju prilikom obrade.
